三星砸2000多億　倍增中國NAND產能 - 工程師

南韓三星電子（SAMSUNG）昨天在陝西省西安市舉行了第2條Nand Flash生產線開工奠基儀

式，從工信部部長苗圩、陝西省委書記胡和平、西安市長上官吉慶、南韓駐中國大使盧英

敏等一眾高官，到去年底才升任三星共同執行長、主管面板與半導體事業的金奇南（Kim

Ki-nam），均列席在座。


三星位於西安的Nand Flash快閃記憶體廠擴建計劃，預計2019年完工。三星並重申今後3

年（2018~2020）將投資70億美元（約2041.41億元台幣），把中國Nand Flash產能提升1

倍，達到每月22萬片。


近年Nand Flash需求水漲船高，價格也跟著節節攀升。但《日本經濟新聞》指出，中國是

三星半導體產品最大出口市場，三星此舉有肯定深耕中國立場不變的意味，似乎也是在全

球保護主義趨勢下，化解針對該公司負面情緒的努力之一。


據DRAMeXchange（全球半導體觀察）和鳳凰網等媒體報導，三星2010年宣布打算在中國興

建記憶體晶片廠，2012年第1期Nand Flash廠工程動土，總投資額達100億美元，成為三星

有史來海外規模最大的投資案。（劉利貞／綜合外電報導）



新聞來源: https://goo.gl/jA6EfK

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